وابستگی رسانش الکترونی یک نانو‌حلقه کربنی به محل اتصال هادی‌ها و میدان مغناطیسی اعمالی

نویسندگان

  • ربانی, حسن . گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
  • مردانی, محمد . گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
  • مقدسی, فاطمه گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
چکیده مقاله:

In this paper, we studied the electronic conductance of a carbon nanoring using Green’s function method at the tight-binding approach for different positions of contacts in the presence and absence of magnetic field. The results show that as the conductors approch in the nanoring, the tunneling conductance in the gap region improves. Moreover, applying the magnetic field dramatically influences the conductance spectrum of the nanoring so that the existence of the magnetic field causes the configurations with coinciding conductance to be disarticulated. The study of the carbon nanoring including binary benzene rings indicates that the variation of the position of these benzene rings in the nanoring shifts the positions of anti-resonances in the conductance spectrum.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

وابستگی رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی به محل اتصال هادی ها و میدان مغناطیسی اعمالی

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...

متن کامل

بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه‌ای

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره‌ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می‌شود، بررسی می‌شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک‌ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی‌های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی‌های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن‌ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...

متن کامل

وابستگی مقاومت الکتریکی سیمهای باریک به میدان مغناطیسی و دما

  Variation of electrical resistivity of Bismuth nanowire versus magnetic field the and temperature are considered. We study the size effect and surface scattering of the carrier in thin wire for systems with ellipsoidal fermi surfaces. Results are in good agreement with experimental points.

متن کامل

تمرکز پرتو الکترونی در میدان مغناطیسی یک منبع تبخیر پرتو الکترونی خمیده

In this paper, the vacuum film deposition through electron beam evaporation has been reviewed and the effect of magnetic field on the operation of this system has been explained. Then, the magnetic field distribution due to magnetic components configuartion of a commercial evaporation source with 270-degree electron beam gun (manufactured by Sharif University Branch of ACECR), has been simulate...

متن کامل

رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

متن کامل

وابستگی مقاومت الکتریکی سیمهای باریک به میدان مغناطیسی و دما

در این مقاله تغییرات مقاومت الکتریکی سیمهای نانویی بیسموت بر حسب دما و میدان مغناطیسی مطالعه گردیده است. به همین منظور اثر پیکر و پراکندگی سطحی حاملها, در سیمهای باریک را برای سیستمهای با سطوح فرمی بیضوی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج به دست آمده با داده های تجربی تطبیق داده شده اند.

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


عنوان ژورنال

دوره 15  شماره 4

صفحات  383- 389

تاریخ انتشار 2016-02

با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.

کلمات کلیدی

کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023